[发明专利]一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统

权利要求书

1.一种SiC MOSFET仿真建模方法，其特征在于，包括：

采用等效电路建模方法，构建所述SiC MOSFET器件的动静态模型原理图；

根据器件测试数据中的转移特性和输出特性，对所述动静态模型中压控电流源参数进行拟合提取；

根据器件测试数据中的电容-漏源电压特性，对所述动静态模型中电容参数进行拟合提取；

根据器件测试数据中的体二极管特性，对所述动静态模型中体二极管参数进行拟合提取；

对进行参数拟合提取后的动静态模型进行仿真测试，并根据仿真测试结果，判断当前模型拟合度是否符合要求，若不符合要求，则返回所述“根据器件测试数据中的转移特性和输出特性，对所述动静态模型中压控电流源参数进行拟合提取”的步骤，直至仿真测试结果符合要求为止。

2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET仿真建模方法，其特征在于，仿真模型建立的转移特性模型为：

I_{DS_transfer}＝k·[1+tanh(a·V_GS+m)]ⁿ

式中，I_{DS_transfer}为漏源转移电流，V_GS为栅源电压，k、a、m及n为转移特性参数。

3.根据权利要求1所述的SiC MOSFET仿真建模方法，其特征在于，仿真模型建立的输出特性模型为：

I_{DS_output}＝V_DS·[1+(e·V_GS+r)^t·V_DS]^b

式中，I_{DS_output}为漏源输出电流，V_GS为栅源电压，V_DS为漏源电压，e、r、b及t为输出特性参数。

4.根据权利要求1所述的SiC MOSFET仿真建模方法，其特征在于，仿真模型中的压控电流源描述为：

I_DS＝k·[1+tanh(a·V_GS+m)]ⁿ·V_DS·[1+(e·V_GS+r)^t·V_DS]^b

式中，I_{DS_transfer}为漏源转移电流，V_GS为栅源电压，V_DS为漏源电压，k、a、m及n为转移特性参数，e、r、b及t为输出特性参数。

5.根据权利要求1所述的SiC MOSFET仿真建模方法，其特征在于，所述测试数据为不同温度条件下的测试数据。

6.根据权利要求1所述的SiC MOSFET仿真建模方法，其特征在于，

仿真模型中，栅极电容设置为常值电容，栅漏电容采用函数拟合方式进行描述：

式中，C₀为电容常数，V_GD为栅漏极电压，s₁～s₇为电容模型参数。

7.根据权利要求1所述的SiC MOSFET仿真建模方法，其特征在于，仿真模型中，体二极管通过单独的二极管描述为：

式中，I_D为二极管两端电流，V_D为二极管两端电压，I_S为饱和电流，q为电子电荷，R_S为寄生电阻，N为注入系数，k为波尔茨曼常数，T为器件温度。