[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210167768.2 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114784150A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 尹涌;易丁丁;张琰琰;陆香花 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成AlN膜层；在所述AlN膜层上形成AlGaN复合层，所述AlGaN复合层包括依次交替层叠的多个第一AlGaN层和多个第二AlGaN层，所述第一AlGaN层在氮气和氢气混合氛围中生长，所述第二AlGaN层在氢气氛围中生长；在所述AlGaN复合层上形成发光结构。本公开实施例能生长表面平整且位错密度低的AlGaN层，提升后续生长的膜层的晶体质量，提高深紫外发光二极管的开启电压良率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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