[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种深紫外发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成AlN膜层；

在所述AlN膜层上形成AlGaN复合层，所述AlGaN复合层包括依次交替层叠的多个第一AlGaN层和多个第二AlGaN层，所述第一AlGaN层在氮气和氢气混合氛围中生长，所述第二AlGaN层在氢气氛围中生长；

在所述AlGaN复合层上形成发光结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述AlGaN复合层在氮气与氢气的体积比为1：5至1:20的混合氛围中生长。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一AlGaN层的生长温度为1000℃至1200℃，生长压力为30mbar至70mbar；

所述第二AlGaN层的生长温度为1000℃至1200℃，生长压力为30mbar至70mbar。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在生长所述第一AlGaN层时，通入氨气、三甲基铝和三甲基镓作为反应物，氮气的通入量为4000sccm至6000sccm，氢气的通入量为40000sccm至60000sccm；

在生长所述第二AlGaN层时，通入氨气、三甲基铝和三甲基镓作为反应物，氢气的通入量为50000sccm至60000sccm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成AlN膜层包括：

采用物理气相沉积法在所述衬底的表面沉积第一AlN层；

在氮气氛围且1500℃至2000℃的温度环境下，对所述第一AlN层进行退火处理；

采用金属有机物化学气相沉积在所述第一AlN层上生长第二AlN层。

6.一种深紫外发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底(10)和依次形成在所述衬底(10)上的AlN膜层(20)、AlGaN复合层(30)和发光结构(40)；

所述AlGaN复合层(30)包括依次交替层叠的多个第一AlGaN层(31)和多个第二AlGaN层(32)，所述第一AlGaN层(31)在氮气和氢气混合氛围中生长，所述第二AlGaN层(32)在氢气氛围中生长。

7.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，所述第一AlGaN层(31)的厚度不大于所述第二AlGaN层(32)的厚度。

8.根据权利要求7所述的外延片，其特征在于，所述第一AlGaN层(31)的厚度为1nm至10nm，所述第二AlGaN层(32)的厚度为1nm至10nm。

9.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，所述第一AlGaN层(31)和所述第二AlGaN层(32)交替层叠的周期数为5至50。

10.根据权利要求6至9任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlN膜层(20)包括依次层叠在所述衬底(10)上的第一AlN层(21)和第二AlN层(22)，所述第一AlN层(21)的厚度为10nm至500nm，所述第二AlN层(22)的厚度为500nm至2000nm。