[发明专利]一种磷化铟晶片的超洁净清洗方法及应用有效
| 申请号： | 202210164149.8 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114220732B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 梁超;李海淼 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101149 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体晶片加工的技术领域，具体公开了一种磷化铟晶片的超洁净清洗方法及应用。磷化铟晶片的超洁净清洗方法包括如下步骤：将磷化铟晶片经紫外光照射，用清洗液浸泡，洗涤；将处理后的磷化铟晶片于含有双氧水和氢氧化钾的混合溶液中浸泡，洗涤；将处理后的磷化铟晶片于含有盐酸和氢溴酸的混合溶液中浸泡，洗涤；将处理后的磷化铟晶片用超纯水洗涤后，于乙醇溶液中浸泡，洗涤；在微波和磁场共同作用下，将处理后的磷化铟晶片于等离子体中处理，洗涤，烘干后得到清洗后的磷化铟晶片。本申请的磷化铟晶片的超洁净清洗方法，通过各步骤之间的协同作用，具有减少磷化铟晶片表面杂质的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 洁净 清洗 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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