[发明专利]一种磷化铟晶片的超洁净清洗方法及应用有效
| 申请号： | 202210164149.8 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114220732B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 梁超;李海淼 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101149 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 洁净 清洗 方法 应用 | ||
1.一种磷化铟晶片的超洁净清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：将磷化铟晶片放在紫外光下照射后，放在清洗液中浸泡，取出磷化铟晶片，洗涤；
S2：将经步骤S1处理后的磷化铟晶片放在含有双氧水和氢氧化钾的混合溶液中浸泡，取出磷化铟晶片，洗涤；
S3：将经步骤S2处理后的磷化铟晶片放在含有盐酸和氢溴酸的混合溶液中浸泡，取出磷化铟晶片，洗涤；
S4：将经步骤S3处理后的磷化铟晶片用超纯水冲洗后，放在乙醇溶液中浸泡，取出磷化铟晶片，洗涤；
S5：在微波和磁场共同作用下，将经步骤S4处理后的磷化铟晶片放在等离子体中进行处理，洗涤，烘干后得到清洗后的磷化铟晶片；
所述步骤S1中的清洗液为质量分数为3-5％的氢氟酸溶液；
所述步骤S2中的双氧水、氢氧化钾、水的重量配比为1：(1-3)：(8-12)；
所述步骤S3中的盐酸溶液、氢溴酸溶液、水的重量配比为1：(1-3)：(40-50)，其中，盐酸溶液的质量分数为38％，氢溴酸的质量分数为40％；
所述等离子体为氩气和氮气的混合气体；
所述步骤S5中通入氩气和氮气的流量比为1：(1.5-2.5)。
2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片的超洁净清洗方法，其特征在于：所述步骤S5中的微波功率为300-500W，所述步骤S5中磁场的电流为150-170A。
3.一种如权利要求1-2任一所述的磷化铟晶片的超洁净清洗方法在制备磷化铟晶片中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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