[发明专利]一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁和方法在审
| 申请号： | 202210161610.4 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114446745A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 唐云俊;王昱翔 | 申请（专利权）人： | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 丁鹏 |
| 地址： | 314400 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁，包括帽部和杆部，所述杆部的一端与帽部固定连接，所述杆部的侧面设置有槽口，所述杆部连接于帽部上偏离帽部中心的位置，所述槽口的宽度等于栅网的金属片的厚度，所述杆部上具有多个槽口，多个槽口沿杆部的长度方向均匀分布，相邻两个槽口的间距等于栅网的相邻两片金属片的间距，本发明能够方便的插入栅网上金属片的孔洞内，与栅网形成稳定结构，以方便、迅速的调整离子源栅网的局域的离子浓度，快速优化刻蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 离子 刻蚀 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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