[发明专利]一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁和方法在审

专利信息
申请号: 202210161610.4 申请日: 2022-02-22
公开(公告)号: CN114446745A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 唐云俊;王昱翔 申请(专利权)人: 浙江艾微普科技有限公司
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 丁鹏
地址: 314400 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 调节 离子 刻蚀 均匀 方法
【权利要求书】:

1.一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁,其特征在于:包括帽部和杆部,所述杆部的一端与帽部固定连接,所述杆部的侧面设置有槽口。

2.根据权利要求1所述的调节离子刻蚀均匀性的孔丁,其特征在于:所述杆部连接于帽部上偏离帽部中心的位置。

3.根据权利要求2所述的调节离子刻蚀均匀性的孔丁,其特征在于:所述槽口的宽度等于栅网的金属片的厚度。

4.根据权利要求3所述的离子调节刻蚀均匀性的孔丁,其特征在于:所述帽部的尺寸能够覆盖一个栅网的孔洞或相邻的多个栅网的孔洞。

5.根据权利要求4所述的离子调节刻蚀均匀性的孔丁,其特征在于:所述帽部的截面呈圆形。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的离子调节刻蚀均匀性的孔丁,其特征在于:所述杆部上具有多个槽口,多个槽口沿杆部的长度方向均匀分布,相邻两个槽口的间距等于栅网的相邻两片金属片的间距。

7.根据权利要求6所述的离子调节刻蚀均匀性的孔丁,其特征在于:所述帽部和杆部的材质为陶瓷或石英。

8.一种调节离子刻蚀均匀性的方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1:采用离子源栅网刻蚀晶圆,获得离子刻蚀厚度或速率分布数据;

S2:制备刻蚀厚度或速率T=f(r/R)图;

S3:根据T=f(r/R)图判读是否满足刻蚀均匀性的要求;

S4:如果满足刻蚀均匀性的要求,则进入步骤S5;如果不满足刻蚀均匀性的要求,则依照T=f(r/R)图,在刻蚀厚度较高处对应的离子源栅网位置,插入若干孔丁,然后返回步骤S1;

S5:结束调节。

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