[发明专利]一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210152478.0 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114388622A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 尹玉春 | 申请（专利权）人： | 上海昱率科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法，其特征是：半导体器件形成在半导体基板上，半导体基板包括：衬底；位于衬底上方的第一导电类型的外延层；多个第二导电类型的第一柱体，第一柱体沿着电流流通的方向在第一导电类型外延层内延伸，在第一柱体两侧的外延层中形成具有第一导电类型的第二柱体，第一柱体与第二柱体形成PN柱对，多组PN柱体对交替连接设置，在半导体基板内形成超结结构；多个第二导电类型的第一注入区，设置在第一柱体的正下方，多个栅极结构，每个栅极结构包括多晶硅栅极和位于其下方的栅极绝缘层，多晶硅栅极中间断开，分割为两个部分，并且多晶栅极总的横向长度大于沟道区的横向长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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