[发明专利]一种肖特基二极管在审

专利信息
申请号: 202210151840.2 申请日: 2022-02-18
公开(公告)号: CN114664933A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 葛雅倩;盛雨;李思彦;陈琳 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L29/40 分类号: H01L29/40;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/43;H01L29/872
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 史俊军
地址: 210023 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种肖特基二极管,包括从上往下依次设置的阳极区、漂移区、衬底区和阴极区,还包括场板区,场板区设置于阳极区中间,场板区被分割成栅结构,场板区和漂移区的材料均为α‑Ga2O3。本发明在阳极区中间增加栅结构的场板区,场板区和漂移区均采用α‑Ga2O3材料,栅结构的场板区能优化电流拥挤效应,改善电极与漂移区接触面处电场分布,提高了器件的击穿电压,基于α‑Ga2O3的漂移区,可采用增加厚度的方式抑制垂直泄漏电流,并且也能提高器件耐压,使器件最大击穿场强超过10MV/cm,解决目前功率二极管漏电流高,耐压偏低的问题。
搜索关键词: 一种 肖特基 二极管
【主权项】:
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