[发明专利]一种肖特基二极管在审
| 申请号： | 202210151840.2 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114664933A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 葛雅倩;盛雨;李思彦;陈琳 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/43;H01L29/872 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 史俊军 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基二极管，包括从上往下依次设置的阳极区、漂移区、衬底区和阴极区，其特征在于，还包括场板区，场板区设置于阳极区中间，场板区被分割成栅结构，场板区和漂移区的材料均为α-Ga2O3。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管的宽度为1~2μm。
3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于，阳极区的材料为Pt，厚度为0.5~1μm。
4.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于，α-Ga2O3的带隙为5.3eV。
5.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于，场板区的厚度为0.5~1μm，场板区的宽度为0.4~0.8μm，n型掺杂，掺杂浓度为4.4×1015~7.4×1015cm-3。
6.根据权利要求1或4所述的一种肖特基二极管，其特征在于，漂移区为n型掺杂，掺杂浓度为4.4×1015~7.4×1015cm-3，厚度范围为1~8μm。
7.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于，衬底区的材料为GaN，厚度为1~2μm，n型掺杂，掺杂浓度为5×1018~1×1019cm-3。
8.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于，阴极区的材料为Pt，厚度为0.5~1μm。
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