[发明专利]溶剂蒸发诱导控制BiI3在审

专利信息
申请号: 202210147694.6 申请日: 2022-02-17
公开(公告)号: CN114551731A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 姚建曦;许佳;李吉红;李必萃 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 陈波
地址: 102206*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出一种溶剂蒸发诱导控制BiI3薄膜取向制备高效MA3Bi2I9钙钛矿太阳电池方法,首先,通过将BiI3的DMF前体溶液旋涂到已沉积了TiO2的氟掺杂氧化锡(FTO)基底上以制备BiI3薄膜,随后,将制备的BiI3湿膜置于手套箱室温密闭容器中。由于容器中的密封条件,从湿膜中蒸发出来的DMF会产生DMF氛围从而大大降低其蒸发速率。通过减缓DMF蒸发成功制备具有(113)和(300)择优取向;同时(003)晶面弱化的BiI3薄膜。随后,所制备的BiI3薄膜与MAI反应形成MBI薄膜。由于BiI3(003)晶面的生长受到限制,MBI的(006)晶面也得以有效地受到限制,与(006)择优取向的MBI薄膜制备的器件相比,这更有利于载流子传输。
搜索关键词: 溶剂 蒸发 诱导 控制 bii base sub
【主权项】:
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