[发明专利]溶剂蒸发诱导控制BiI3 在审
申请号: | 202210147694.6 | 申请日: | 2022-02-17 |
公开(公告)号: | CN114551731A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 姚建曦;许佳;李吉红;李必萃 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 陈波 |
地址: | 102206*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溶剂 蒸发 诱导 控制 bii base sub | ||
本发明提出一种溶剂蒸发诱导控制BiI3薄膜取向制备高效MA3Bi2I9钙钛矿太阳电池方法,首先,通过将BiI3的DMF前体溶液旋涂到已沉积了TiO2的氟掺杂氧化锡(FTO)基底上以制备BiI3薄膜,随后,将制备的BiI3湿膜置于手套箱室温密闭容器中。由于容器中的密封条件,从湿膜中蒸发出来的DMF会产生DMF氛围从而大大降低其蒸发速率。通过减缓DMF蒸发成功制备具有(113)和(300)择优取向;同时(003)晶面弱化的BiI3薄膜。随后,所制备的BiI3薄膜与MAI反应形成MBI薄膜。由于BiI3(003)晶面的生长受到限制,MBI的(006)晶面也得以有效地受到限制,与(006)择优取向的MBI薄膜制备的器件相比,这更有利于载流子传输。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种溶剂蒸发诱导控制BiI3薄膜取向制备高效MA3Bi2I9钙钛矿太阳电池方法。
背景技术
近年来,基于钙钛矿材料的光电性能和器件结构的改善,钙钛矿太阳能电池(PSCs)的效率(PCE)已从3.9%迅速提高到25.7%。然而,由于钙钛矿中PbI6八面体容易发生倾斜和Pb2+和毒性大大限制了其市场应用的前景由于存在PbI6,因此,开发无毒/低毒的非铅钙钛矿材料具有十分重要的科学和应用价值。在众多的非铅元素中,Sn2+和Bi3+替代Pb2+被作为一种制备环境友好型钙钛矿太阳电池有效途径,引起了广泛的关注。目前,锡基钙钛矿已经实现了14.6%的效率。然而,锡基钙钛矿中Sn2+极易被氧化为Sn4+,最终导致其光电效率较低。最近,铋基钙钛矿MA3Bi2I9(MBI)由于其特别优异的光电性能和在环境中的高稳定性而备受关注。大量相关研究报道了MBI钙钛矿太阳能电池,并且其效率最高已达到3.17%。MBI钙钛矿薄膜的制备方法最初是从含铅钙钛矿体系演变而来,主要有一步或两步溶剂法。Park.B.W等人首次通过一步溶液法制备了含有晶粒交叉的MBI薄膜,并实现了0.12%的效率。Shin.S.S等人通过Bi与DMF形成Bi-DMF复合物制备了表面均匀、孔洞较少的MBI薄膜。然而,由于溶液法制备MBI薄膜的快速结晶导致形成具有大量晶粒交叉较差的形貌,这会抑制载流子在钙钛矿薄膜中的传输。为了解决MBI薄膜的快速结晶问题,蒸气辅助溶液法(VASP)被应用于制造MBI薄膜。与传统的溶液工艺相比,气相沉积可以降低BiI3和CH3NH3I(MAI)之间过快的插层反应速率,避免在溶液法过程中产生不良的结构转变,从而优化钙钛矿的表面形貌。Ran等人开发了一种两步法,通过热蒸发BiI3后旋涂MAI溶液来制备均匀且无针孔的MBI薄膜,所得器件的PCE为0.39%,开路电压高达0.83V。张等人通过BiI3和MAI真空沉积的无溶剂接触方法获得了高度致密且均匀的MBI薄膜,最终实现了1.64%的效率。Jain等人利用BiI3晶粒作为成核中心与CH3NH2(MA)和HI蒸气反应并制备了具有均匀表面覆盖的MBI钙钛矿薄膜,取得了创纪录的3.17%的最高效率。
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