[发明专利]连续式CVD薄膜制造设备及方法在审
| 申请号： | 202210116871.4 | 申请日： | 2022-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN114703466A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王炜;沈大勇;谭化兵;瞿研 | 申请（专利权）人： | 常州第六元素半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人： | 肖淑芳 |
| 地址： | 213100 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供连续式CVD薄膜制造设备，包括进样舱、加热舱、工艺舱和冷却舱，所述进样舱用于在真空环境下将基底层送入加热舱，所述加热舱用于对基底层进行加热后送入工艺舱，所述工艺舱用于对加热后的基底层进行气相沉积获得薄膜，将薄膜送入冷却舱，所述冷却舱用于对薄膜进行冷却。本发明还提供方法。本发明加工难度低、制造成本低、后期维护更换方便，维护成本低，利于产业化的推进。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 cvd 薄膜 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
