[发明专利]一种基于分阶段热处理的薄膜制备方法及其复合薄膜在审
申请号: | 202210089179.7 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114420833A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 胡文;胡卉;李真宇;张秀全 | 申请(专利权)人: | 济南晶正电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L41/312 | 分类号: | H01L41/312;H01L41/253;H01L41/37;H01L41/18 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本申请公开了一种基于分阶段热处理的薄膜制备方法及其复合薄膜,所述方法包括:获取单晶晶圆和衬底晶圆;通过离子注入法将离子注入单晶晶圆,将所述单晶晶圆依次分为余质层、分离层和薄膜层;将单晶晶圆和衬底晶圆进行键合,形成键合体;将键合体放入退火炉内进行热处理,将键合体放入退火炉内分阶段依次进行增强键合力热处理、薄膜层和余料层分离热处理、消除离子损伤热处理,得到复合薄膜。本申请通过将键合体进行分阶段热处理,提高了键合力,将薄膜层和余料层分离以减少薄膜破裂的风险,消除了离子因为注入时造成的损伤,最终实现提升了复合薄膜的质量,进而提高了下游器件的成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 分阶段 热处理 薄膜 制备 方法 及其 复合 | ||
【主权项】:
暂无信息
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