[发明专利]一种基于分阶段热处理的薄膜制备方法及其复合薄膜

权利要求书

1.一种基于分阶段热处理的薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取单晶晶圆和衬底晶圆；

通过离子注入法将离子注入单晶晶圆，将所述单晶晶圆依次分为余质层、分离层和薄膜层；

将单晶晶圆和衬底晶圆进行键合，形成键合体；

将键合体放入退火炉内进行分阶段热处理，将键合体放入退火炉内依次进行增强键合力热处理、薄膜层和余料层分离热处理、消除离子损伤热处理，得到复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合力热处理的温度大于薄膜层和余料层分离热处理的温度，且所述键合力热处理的时间小于薄膜层和余料层分离热处理的时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述消除离子损伤热处理的温度大于薄膜层和余料层分离热处理的温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合力热处理为在220℃-300℃中持续0.2-1h；所述薄膜层和余料层分离热处理为，键合体在150℃-190℃持续3-6h；所述消除离子损伤热处理为在320℃-350℃持续2-4h。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底晶圆的一面制作绝缘层或者在所述衬底晶圆的一面先制作介质层再制作绝缘层；键合时衬底晶圆上的绝缘层与单晶晶圆键合。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅、氮氧化硅以及氮化硅中的一种。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底晶圆的一面制作介质层的方法为：通过沉积法在衬底晶圆表面沉积多晶硅或者非晶硅；或者通过腐蚀法在衬底晶圆表面产生腐蚀损伤层；或者通过腐蚀法在衬底晶圆表面产生腐蚀损伤层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入法的离子为氦离子、氢离子、氮离子、氧离子或氩离子。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶晶圆为铌酸锂、钽酸锂、石英、陶瓷、四硼酸锂、磷酸钛氧钾、磷酸钛氧铷、砷化镓或硅；所述衬底晶圆为铌酸锂、钽酸锂、硅晶圆、碳化硅晶圆、氮化硅、石英、蓝宝石或石英玻璃。

10.一种复合薄膜，其特征在于，采用权利要求1-9中任意一项所述方法的制备而成的复合薄膜。