[发明专利]一种基于极性加固技术的抗辐照SRAM存储电路在审
| 申请号： | 202210081248.X | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114496026A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 卢文娟;刘海涛;朱志国;吕盼稂;赵强;彭春雨;郝礼才;蔺智挺;吴秀龙 | 申请（专利权）人： | 安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司;合肥海图微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于极性加固技术的抗辐照SRAM存储电路，包括八个NMOS晶体管和六个PMOS晶体管，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合，NMOS晶体管N3、N4和PMOS晶体管P1、P2作为上拉管，NMOS晶体管N1、N2、N5、N6作为下拉管；两个主存储节点Q与QN通过NMOS晶体管N8与N7分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S1与S0通过PMOS晶体管P6与P5分别与位线BL和BLB相连，NMOS晶体管N7、N8由字线WL控制，PMOS晶体管P5、P6由字线WLB控制。上述电路能够提高SRAM存储单元的稳定性，并提高单元抗单粒子翻转能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 极性 加固 技术 辐照 sram 存储 电路 | ||
【主权项】：
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