[发明专利]基于二氧化钛纳米管阵列的石墨烯EEG电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202210080043.X | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN116509404A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李鹏海;孟艳芸;李明吉;李红姬;王辰;苏建贤;李雪情;杜璞;仝文霖 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | A61B5/263 | 分类号： | A61B5/263;A61B5/291;C25D11/26;B82Y15/00;B82Y40/00;C23C16/26;C23C16/503;C23C28/04 |
| 代理公司： | 天津赛凌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12270 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于二氧化钛纳米管阵列的石墨烯EEG电极及其制备方法，包括以下步骤：步骤1，将预处理后的钛片连接可编程线性直流电源的正极并作为工作电极，将作为对电极的铂片电极连接可编程线性直流电源的负极，将钛片和铂片电极置于溶液中反应0.5～2h，以使在所述钛片表面发生阳极氧化反应后生成二氧化钛纳米管阵列，清洗，得氧化后钛片；步骤2，将所述氧化后钛片作为基底，以甲烷作为碳源，利用直流电弧等离子体喷射法在所述基底上生长石墨烯所得。该电极使用过程中不需要涂抹导电膏，佩戴舒适，操作方便，与头皮接触良好，也因其宏观上的尺寸和微观上的二氧化钛纳米管阵列在一定程度上规避了头发对测试的影响，从而降低电极头皮接触阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 纳米 阵列 石墨 eeg 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210080043.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种环索奈德类似物、制备方法及其应用
- 下一篇：一种护肤品产品
