[发明专利]基于二氧化钛纳米管阵列的石墨烯EEG电极及其制备方法在审
申请号: | 202210080043.X | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN116509404A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 李鹏海;孟艳芸;李明吉;李红姬;王辰;苏建贤;李雪情;杜璞;仝文霖 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | A61B5/263 | 分类号: | A61B5/263;A61B5/291;C25D11/26;B82Y15/00;B82Y40/00;C23C16/26;C23C16/503;C23C28/04 |
代理公司: | 天津赛凌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12270 | 代理人: | 李蕊 |
地址: | 300384 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 氧化 纳米 阵列 石墨 eeg 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于二氧化钛纳米管阵列的石墨烯EEG电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,将预处理后的钛片连接可编程线性直流电源的正极并作为工作电极,将作为对电极的铂片电极连接可编程线性直流电源的负极,将钛片和铂片电极置于溶液中反应0.5~2h,以使在所述钛片表面发生阳极氧化反应后生成二氧化钛纳米管阵列,清洗,得氧化后钛片;
步骤2,将步骤1所得的氧化后钛片作为基底,以甲烷作为碳源,利用直流电弧等离子体喷射法在所述基底上生长石墨烯,得到基于二氧化钛纳米管阵列的石墨烯EEG电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,所述钛片为圆形,圆形的直径为5~10mm,圆形的厚度为0.8~1.5mm。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,所述溶液为丙三醇、超纯水和氟化铵的混合物,其中,所述丙三醇的体积份数、超纯水的体积份数和氟化铵的质量份数的比为(28~35):(4~5):(0.35~0.45),体积份数的单位为mL,质量份数的单位为g。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,所述可编程线性直流电源的输出电压为19~20V。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,在所述反应的过程中,将所述溶液保持在650~750r/min的搅拌速度下搅拌。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,所述预处理为先将钛片用砂纸打磨,再依次用酒精和超纯水超声清洗,最后烘干。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,所述清洗为先后依次用酒精和超纯水各超声3~5min。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤2中,所述直流电弧等离子体喷射法为在氢气和惰性气体的环境下,向所述氧化后钛片喷射等离子体4~5min,再通入所述碳源3~4.5min,通入所述碳源的流量为150~200L/min。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤2中,通过向放置氧化后钛片的腔体内通入氢气和惰性气体实现所述氢气和惰性气体的环境,所述氢气和惰性气体的流量均为1~5L/min,所述腔体内的腔压为3000~3500Pa,向所述腔体内输入碳源的泵压为13000~14000Pa,产生所述等离子体的直流电弧的弧电流为100~120A,弧电压为50~65V,电弧功率为5000~7800W。
10.如权利要求1~9中任意一项所述制备方法获得的基于二氧化钛纳米管阵列的石墨烯EEG电极。
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