[发明专利]一种防止打线后球薄的方法在审
| 申请号： | 202210065735.7 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114420580A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 田松;杨聪滨 | 申请（专利权）人： | 无锡嘉硕科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/607 | 分类号： | H01L21/607;H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 孙建 |
| 地址： | 214106 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开一种防止打线后球薄的方法，涉及金线压焊技术领域。本发明公开的防止打线后球薄的方法的步骤为：S1贴胶带；S2种晶及目检；S3烘烤硬化；S4产品表面N |
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| 搜索关键词： | 一种 防止 打线后球薄 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
