[发明专利]一种使用移动加热器法生长高质量CLLB晶体的方法有效

专利信息
申请号: 202210064013.X 申请日: 2022-01-20
公开(公告)号: CN114411251B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 张香港;蔡卓辰;殷子昂;王涛;赵清华 申请(专利权)人: 西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B9/06;G01T1/202
代理公司: 西安匠星互智知识产权代理有限公司 61291 代理人: 陈星
地址: 518057 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提出一种使用移动加热器法生长高质量Cs2LiLaBr6晶体的方法,依据Cs2LaBr5‑LiBr相图,分别制备了符合CLLB计量比的致密多晶料、可以直接析出CLLB晶体比例的溶剂区致密多晶料,之后利用符合CLLB计量比的致密多晶料和溶剂区致密多晶料,通过调整出特定的温场形状令只有溶剂区多晶料融化,熔体扩散和对流中使得符合CLLB计量比的多晶料在溶解界面溶解,然后在生长界面析出,采用THM法,随着炉体和晶体的相对移动,溶剂区缓慢的上移,最终全部符合CLLB计量比的多晶料融化通过溶剂区并在生长界面析出结晶,生长出结晶质量良好的CLLB单晶体。本发明可以使熔体始终维持在可以析出CLLB晶体的比例,又能避免熔区溶质浓度降低导致的结晶界面失稳,提高LiBr的利用率。
搜索关键词: 一种 使用 移动 加热器 生长 质量 cllb 晶体 方法
【主权项】:
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