[发明专利]一种使用移动加热器法生长高质量CLLB晶体的方法

权利要求书

1.一种使用移动加热器法生长高质量CLLB晶体的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：根据Cs₂LaBr₅-LiBr相图，制备符合CLLB计量比的第一致密多晶料以及能够直接析出CLLB晶体的溶剂区致密多晶料；

采用以下步骤制备符合CLLB计量比的第一致密多晶料：

步骤1.1：在惰性气氛下，将CsBr、LiBr、La_(1-y)Ce_yBr₃原料按照符合CLLB晶体化学计量比的原料比例装入洁净干燥的第一容器中，对第一容器抽真空，真空度达到所需压强时封闭容器；

步骤1.2：将步骤1.1得到的封闭的第一容器放置于高温炉中，升温至第一原料熔点之上20～50℃，然后进行摇摆震荡合料，之后将第一容器正立并保温设定时间，最后缓慢降温冷却至室温，得到符合CLLB计量比的第一致密多晶料；所述第一原料熔点根据Cs₂LaBr₅-LiBr相图确定；

采用以下步骤制备能够直接析出CLLB晶体的溶剂区致密多晶料：

步骤1.3：在惰性气氛下，将CsBr、LiBr、La_(1-y)Ce_yBr₃原料按照能够直接析出CLLB晶体的原料比例装入洁净干燥的第二容器中，对容器抽真空，真空度达到所需压强时封闭第二容器；所述能够直接析出CLLB晶体的原料比例根据Cs₂LaBr₅-LiBr相图确定：Cs₂La_(1-y)Ce_yBr₅:LiBr在39：61和20：80之间；并根据确定后的Cs₂La_(1-y)Ce_yBr₅以及LiBr比例，按照符合CLLB晶体化学计量比的原料比例确定CsBr比例；

步骤1.4：根据步骤1.3中所确定的能够直接析出CLLB晶体的原料比例，利用Cs₂LaBr₅-LiBr相图确定第二原料熔点；将步骤1.3得到的封闭的第二容器放置于高温炉中，升温至第二原料熔点之上20～50℃，然后进行摇摆震荡合料，之后将第二容器正立并保温设定时间，最后缓慢降温冷却至室温，得到能够直接析出CLLB晶体的溶剂区致密多晶料；

步骤2：将籽晶、所述溶剂区致密多晶料、所述第一致密多晶料从下至上依次装入洁净干燥的第三容器中，对第三容器抽真空，真空度达到所需压强时封闭第三容器；

步骤3：将封闭的第三容器置于适用于THM法的炉体中，对第三容器施加温度场：通过温度场，使得所述溶剂区致密多晶料在温度场中全部融化为高温熔融液体，所述溶剂区致密多晶料两端的籽晶及第一致密多晶料在靠近所述溶剂区致密多晶料的一端有0～0.5cm范围的融化；

步骤4：通过将第三容器在所述炉体中相对移动，采用THM法进行晶体生长；

步骤5：对生长结束的CLLB晶体进行退火降温，得到最终的CLLB晶体。