[发明专利]三维快闪存储器模块芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202210051754.4 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116093041A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 叶腾豪;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H10B41/20;H10B43/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维快闪存储器模块芯片，包括：存储芯片与控制芯片。所述存储芯片包括：多个块，每一块包括多个三维快闪存储器结构；以及多个加热器，设置在所述每一块的所述多个三维快闪存储器结构周围。控制芯片与所述存储芯片接合，用以驱动所述多个加热器的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 闪存 模块 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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