[发明专利]三维快闪存储器模块芯片及其制造方法

说明书

本发明提供一种三维快闪存储器模块芯片，包括：存储芯片与控制芯片。所述存储芯片包括：多个块，每一块包括多个三维快闪存储器结构；以及多个加热器，设置在所述每一块的所述多个三维快闪存储器结构周围。控制芯片与所述存储芯片接合，用以驱动所述多个加热器的至少一个。

技术领域

本发明是有关于一种存储器模块及其制造方法，且特别是有关于一种 三维快闪存储器模块及其制造方法。

背景技术

非易失性存储器具有可使得存入的数据在断电后也不会消失的优点， 因此广泛采用于个人电脑和其他电子设备中。目前业界较常使用的三维存 储器包括或非门(NOR)存储器以及与非门(NAND)存储器。此外，另 一种三维存储器为与门(AND)存储器，其可应用在多维度的存储器阵列 中而具有高集成度与高面积利用率，且具有操作速度快的优点。因此，三 维存储器元件的发展已逐渐成为目前的趋势。

公开内容

本发明提供一种三维快闪存储器模块芯片及其制造方法，可以针对快 闪存储器的局部进行修复(healing)处理。

在本发明的一实施例中，一种三维快闪存储器模块芯片，包括：存储 芯片与控制芯片。所述存储芯片包括：多个块，每一块包括多个多个三维 快闪存储器结构；以及多个加热器，设置在所述每一块的所述多个三维快 闪存储器结构周围。控制芯片与所述存储芯片接合，用以驱动所述多个加 热器的至少一个。

在本发明的一实施例中，一种三维快闪存储器模块芯片的制造方法， 包括：形成存储芯片，包括：形成多个块于第一基底上，每一块包括多个 多个三维快闪存储器结构；以及形成多个加热器，于所述每一块的所述多 个三维快闪存储器结构周围；形成控制芯片；以及接合所述控制芯片与所 述存储芯片，其中所述控制芯片用以驱动所述多个加热器。

基于上述，本发明的三维快闪存储器模块芯片及其制造方法，以额外 的控制芯片驱动加热器，对快闪存储器的各个区块进行局部修复处理。控 制芯片可以另外制作，以避免加热器控制器占用存储芯片的面积，并且可 以以较低阶的工艺来制造控制芯片，以降低工艺的费用。

附图说明

图1A与图1B分别是依据本发明实施例的一种三维快闪存储器模块 芯片的立体示意图。

图2A是依据本发明实施例的一种存储芯片的三维快闪存储器结构的 部分上视图。

图2B是图2A的线I-I’的剖面图。

图3A是依据本发明另一实施例的一种具有加热器的存储芯片的部分 上视图。

图3B是图3A的线I-I’的剖面图。

图4A是依据本发明另一实施例的一种具有加热器的存储芯片的部分 上视图。

图4B是依据本发明另一实施例的一种存储芯片的加热器与接垫的部 分上视图。

图4C是图4B的线II-II’的剖面图。

图5A至图5E是依照本发明实施例的一种控制芯片的各种立体示意图。

图6A是依照本发明实施例的一种存储芯片与控制芯片的立体示意图。

图6B是图6A的局部电路示意图。

图7A至图7C示出本发明的三维快闪存储器模块芯片的制造流程的 剖面示意图。

图8是依照本发明实施例的另一种控制芯片的立体示意图。

附图标记说明

14：隧穿层

16：通道柱

20：存储单元

24：绝缘填充层