[发明专利]消像差变栅距光栅扫描光刻条纹线密度设计方法有效
| 申请号： | 202210041105.6 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114740557B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 宋莹;张刘;刘玉娟;朱杨;章家保;王文华 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京中理通专利代理事务所(普通合伙) 11633 | 代理人： | 刘慧宇 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 消像差变栅距光栅扫描光刻条纹线密度设计方法，涉及全息光栅制作的技术领域，本发明提出消像差变栅距光栅扫描光刻的干涉条纹线密度设计方法，利用该方法可根据变栅距光栅刻槽密度目标函数，完成扫描光刻过程中干涉条纹线密度函数的设计，按此干涉条纹线密度设计函数，变化干涉条纹的线密度，最终得到的变周期光栅刻槽密度满足光栅刻槽密度目标函数的要求。按照本方法可设计光刻干涉条纹的线密度变化规律。提高变栅距光栅的刻槽密度的精度，保证曝光对比度工艺参数的可控性，对提升变栅距光栅扫描光刻制作水平，提高光栅制作成功率具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 消像差变栅距 光栅扫描 光刻 条纹 密度 设计 方法 | ||
【主权项】：
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