[发明专利]一种高PSR快速瞬态响应双模式无片外电容LDO在审
| 申请号： | 202210034557.1 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114510109A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张国俊;张文明;秦逸飞;张轩溥;罗建鑫 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本专利提出一种高PSR快速瞬态响应，有两种工作模式的无片外电容LDO，适用于数模混合芯片内部数字部分的供电。该设计基于0.13um CMOS工艺，内部可以分为前级降压器和后级降压器，其中前级降压包含前级带隙基准，前级误差放大器和前级功率管，后级降压器包含后级带隙基准，后级电压缓冲器，后级误差放大器和后级功率管，此外还有使能电路，过压保护和过温保护，负载电流检测和负载跳变检测电路构成瞬态提升和工作模式切换(轻载模式和重载模式)。该电路可集成在SOC系统中，无需外接分立单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 psr 快速 瞬态 响应 双模 式无片 外电 ldo | ||
【主权项】：
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