[发明专利]一种高PSR快速瞬态响应双模式无片外电容LDO在审
| 申请号: | 202210034557.1 | 申请日: | 2022-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN114510109A | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
| 发明(设计)人: | 张国俊;张文明;秦逸飞;张轩溥;罗建鑫 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 psr 快速 瞬态 响应 双模 式无片 外电 ldo | ||
1.设计了一种高PSR,快速瞬态响应,有两种工作模式的无片外电容LDO,适用于数模混合芯片内部数字部分的供电。其特征在于,电路分为前级降压器和后级降压器,其中前级降压包含前级带隙基准,前级误差放大器和前级功率管,后级降压器包含后级带隙基准,后级电压缓冲器,后级误差放大器和后级功率管,此外还有使能电路,过压保护和过温保护,负载电流检测和负载跳变检测电路构成瞬态提升和工作模式切换(轻载模式和重载模式)。
2.根据权利要求1所述的一种高PSR,快速瞬态响应,有两种工作模式的无片外电容LDO,其主要特征为前级降压器产生局部电源电压为后级降压器提供电源,由于前级模块的存在会消除大部分输入电压纹波,且该局部电源电压随着输入电压的改变变化已经很小,后级模块通过该局部电源电压作为电源后,可以得到进一步提升的纹波抑制比和线性调整率。前级误差放大器和功率管构成的三级放大器通过合理的零极点配置,产生稳定的局部电源电压,传到后级偏置和带隙基准电路,后级带隙基准为电流基准再通过电阻产生低压电压基准,通过电压缓冲器传至源端输入的GM单元的同向端,反向端连接功率管的漏端,再通过瞬态提升电路改善瞬态响应。
3.除在权利要求2所述电路结构特征外,后级误差放大器的可控偏置电流构成的双工作模式电路,其主要特征为负载电流的检测电路LOAD_DETECT模块产生的Module_Switch信号可以控制GM单元的偏置电流,从而在轻载时可以减少静态功耗。
4.在权利要求3中,LOAD_DETECT模块内部分为两个部分,其中有一个为负载跳变检测模块和另外一个为负载电流镜像模块,负载跳变检测模块的原理为输出端的负载出现跳变时,会出现电流的瞬间跳变,从而引起输出电压的变化,该模块可以瞬间检测该变化,并产生一个瞬间的电流,负载电流镜像模块则会镜像一部分负载电流,两个部分相加通过I_U变换,得到电压值,当该电压大于设定阈值,则LOAD_DETECT输出重载模式切换信号,从而增加后级误差放大器的偏置电流。
5.根据权利要求4所述的负载跳变检测模块,通过极低偏置电流(200nA)和大宽长比MOS管从而保证该检测电路除开偏置管为倒比管外,其余MOS管工作在亚阈值区,能够得到灵敏的跳变感应和极大的补偿跳变电流,故该模块的改动版就构成了权利要求2所述的瞬态提升电路。
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