[发明专利]半导体封装结构及其制备方法、电子设备在审

专利信息
申请号: 202210033389.4 申请日: 2022-01-12
公开(公告)号: CN114530427A 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 黎子兰;沙长青;刘庆波 申请(专利权)人: 广东致能科技有限公司;徐州致能半导体有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 李旦华
地址: 510700 广东省广州市黄*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,提供了一种半导体封装结构及其制备方法、电子设备,该半导体封装结构包括:衬底、器件功能层、第一电极层和支撑层,支撑层位于器件功能层远离衬底的一侧且覆盖第一电极层;支撑层包括注塑结构和多个导电支撑结构。通过在第一电极层上制备支撑层,由于该支撑层包括注塑结构和置于注塑结构内部的导电支撑结构,利用导电支撑结构作为第一电极结构和第二电极结构的电连接通道,从而将电极结构引出,方便外部引线连接;同时导电支撑结构与注塑结构结合可极大增加晶圆的结构强度,从而为衬底减薄提供较好的机械支撑能力,可防止晶圆翘曲或者破损,而且衬底减薄后有利于提升半导体封装器件的散热性能,可增加产品的使用寿命。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 电子设备
【主权项】:
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