[发明专利]半导体封装结构及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

衬底；

器件功能层，所述器件功能层位于所述衬底的一侧，包括至少一个半导体器件；

第一电极层，所述第一电极层位于所述器件功能层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层对应于同一所述半导体器件的区域包括多个第一电极结构，所述第一电极结构与所述半导体器件的电极对应连接；

支撑层，所述支撑层位于所述器件功能层远离所述衬底的一侧，并且覆盖所述第一电极层；所述支撑层包括注塑结构和位于所述注塑结构内部的多个导电支撑结构，所述导电支撑结构的一端与对应区域的所述第一电极结构连接，所述导电支撑结构的另一端与所述注塑结构远离所述衬底的一侧平齐；

第二电极层，所述第二电极层位于所述支撑层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层对应于同一所述半导体器件的区域包括多个第二电极结构，所述第二电极结构与所述第一电极结构一一对应，且与所述导电支撑结构连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述注塑结构包围所述导电支撑结构；所述导电支撑结构为金属网格结构或者间隔布置的多个金属球结构。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述衬底的厚度与所述支撑层的厚度总和为120微米～150微米；和/或，所述衬底的厚度为0微米～100微米。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二电极结构与所述第一电极结构在所述衬底上的正投影重叠。

5.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，多个所述金属球结构呈线性阵列间隔排布。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述注塑结构内部还分散有纳米颗粒，所述纳米颗粒的材料包括氧化硅、氧化钛或者碳化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述注塑结构的材料包括树脂材料；和/或，所述导电支撑结构的材料包括锡。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：背金层；所述背金层位于所述衬底远离所述器件功能层的一侧，用于与框架的基岛连接。

9.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的半导体封装结构。

10.一种半导体封装结构的制备方法，用于制备如权利要求1至8中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧制备器件功能层；所述器件功能层包括至少一个半导体器件；

在所述器件功能层远离所述衬底的一侧制备第一电极层；所述第一电极层对应于同一所述半导体器件的区域包括多个第一电极结构；

在所述第一电极结构远离所述衬底的一侧制备导电支撑结构；

在所述第一电极层远离所述衬底的一侧注塑形成注塑结构，使得所述注塑结构包围所述导电支撑结构，且所述导电支撑结构远离所述衬底的一端与所述注塑结构远离所述衬底的一侧平齐；

对所述衬底进行减薄；

在所述注塑结构远离所述衬底的一侧制备第二电极结构。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧制备器件功能层；所述器件功能层包括至少一个半导体器件，包括：

去除所述器件功能层位于切割道区域的部分结构，使得相邻的所述半导体器件相互独立；

以及，所述在所述第一电极层远离所述衬底的一侧注塑形成注塑结构，使得所述注塑结构包围所述导电支撑结构，且所述导电支撑结构远离所述衬底的一端与所述支撑层远离所述衬底的一侧平齐，包括：

所述注塑结构覆盖所述第一电极结构以及所述切割道区域。