[发明专利]闪存的控制方法、装置、存储介质和电子设备在审
| 申请号： | 202210033332.4 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114527934A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李德森;黄立伟;李应浪;施奕洲 | 申请（专利权）人： | 珠海泰芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种闪存的控制方法、装置、存储介质、电子设备，涉及存储控制领域。本申请在接收到待写入的目标数据时，根据预设的遍历粒度在第一存储空间中遍历数值等于0的比特位的数量，在数量小于闪存的最大写入次数时，根据数量确定存储单元的起始地址，然后将目标数据写入到确定的存储单元中，以及修改第一存储空间中当前写入次数对应的比特位的数值修改为0，相对比现有技术本申请在写入目标数据之前可以减少遍历未写数据单元的次数，减少遍历的时间和提高写入的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 控制 方法 装置 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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