[发明专利]闪存的控制方法、装置、存储介质和电子设备

说明书

本申请实施例公开了一种闪存的控制方法、装置、存储介质、电子设备，涉及存储控制领域。本申请在接收到待写入的目标数据时，根据预设的遍历粒度在第一存储空间中遍历数值等于0的比特位的数量，在数量小于闪存的最大写入次数时，根据数量确定存储单元的起始地址，然后将目标数据写入到确定的存储单元中，以及修改第一存储空间中当前写入次数对应的比特位的数值修改为0，相对比现有技术本申请在写入目标数据之前可以减少遍历未写数据单元的次数，减少遍历的时间和提高写入的效率。

技术领域

本申请存储控制领域，尤其涉及一种闪存的控制方法、装置、存储介质和电子设备。

背景技术

闪存(flash memory，快闪存储器)是一种非易失性存储器，在上电后，会根据一定的遍历粒度在闪存中遍历未写数据的存储单元，然后将数据写入到遍历到的存储单元，最大遍历次数和闪存的容量和遍历粒度有关。例如：闪存的容量为256K个字节，遍历粒度为4个字节，那么最大遍历次数为(256*1024-8)/4＝65534次，即最坏的情况下需要遍历65534次能到查找到未写数据的存储空间，因此遍历的效率较低。

发明内容

本申请实施例提供了闪存的控制方法、装置、存储介质及电子设备，可以解决现有技术在闪存中遍历未写数据的存储单元存在效率较低的问题。所述技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种闪存的控制方法，应用于容量为y个字节的闪存，所述闪存的读写粒度为x个字节，所述闪存包括第一存储空间和第二存储空间，所述第一存储空间的大小为n个比特，满足n＝floor[(y-1)/(x+1/x)]；

所述控制方法包括：

接收待写入的目标数据；其中，所述目标数据的大小为x个字节；

以k个字节为遍历粒度在所述第一存储空间中进行遍历；其中，1≤k≤x，k为整数；

根据遍历结果统计所述第一存储空间中数值等于0比特位的数量；

若所述数量小于n时，根据所述数量在所述第二存储空间中确定未写数据的存储单元的起始地址；其中，所述存储单元的大小为x个字节；

根据所述起始地址，将所述目标数据写入第二存储空间中；

成功写入所述目标数据后，根据所述遍历结果确定所述第一存储空间位于最高位的数值为0的比特位的序号i，以及将序号为i+1的比特位的数值修改为0。

第二方面，本申请实施例提供了一种闪存的控制装置，应用于容量为y个字节的闪存，所述闪存的读写粒度为x个字节，所述闪存包括第一存储空间和第二存储空间，所述第一存储空间的大小为n个比特，满足n＝floor[(y-1)/(x+1/x)]；

所述闪存的控制装置包括：

收发单元，用于接收待写入的目标数据；其中，所述目标数据的大小为x个字节；

遍历单元，用于以k个字节为遍历粒度在所述第一存储空间中进行遍历；其中，1≤k≤x，k为整数；

统计单元，用于根据遍历结果统计所述第一存储空间中数值等于0比特位的数量；

确定单元，用于若所述数量小于n时，根据所述数量在所述第二存储空间中确定未写数据的存储单元的起始地址；其中，所述存储单元的大小为x个字节；

写入单元，用于根据所述起始地址，将所述目标数据写入第二存储空间中；

修改单元，用于成功写入所述目标数据后，根据所述遍历结果确定所述第一存储空间位于最高位的数值为0的比特位的序号i，以及将序号为i+1的比特位的数值修改为0。

第三方面，本申请实施例提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并执行上述的方法步骤。