[发明专利]一种半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210032642.4 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116469857A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王路广;黄金荣 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，一种半导体结构包括：具有第一面的第一基底，第一基底具有凸出于第一面的电连接柱；具有第二面的第二基底，第二基底内具有导电柱，且第二面还具有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽相连通，第一凹槽位于导电柱上方且暴露出导电柱的至少部分顶面，第二凹槽暴露出导电柱的至少部分侧面；第二面与第一面相键合，且电连接柱的凸出部分位于第二凹槽内，且电连接柱的部分侧面与导电柱的部分侧面在垂直于第一面或第二面的方向上错位交叠；焊接结构，至少部分焊接结构填充于第一凹槽，且至少部分焊接结构还位于电连接柱与第二凹槽底面之间，至少可以提高半导体结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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