[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

具有第一面的第一基底，所述第一基底具有凸出于所述第一面的电连接柱；

具有第二面的第二基底，所述第二基底内具有导电柱，且所述第二面还具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽相连通，所述第一凹槽位于所述导电柱上方且暴露出所述导电柱的至少部分顶面，所述第二凹槽暴露出所述导电柱的至少部分侧面；

所述第二面与所述第一面相键合，且所述电连接柱的凸出部分位于所述第二凹槽内，且所述电连接柱的部分侧面与所述导电柱的部分侧面在垂直于所述第一面或所述第二面的方向上错位交叠；

焊接结构，至少部分所述焊接结构填充于所述第一凹槽，且至少部分所述焊接结构还位于所述电连接柱与所述第二凹槽底面之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电连接柱包括：导电主体部、位于所述导电主体部底面和侧面的第一扩散阻挡层及位于所述导电主体部顶面的第一金属保护层，且所述第一金属保护层位于所述导电主体部与所述焊接结构之间，且所述导电主体部的部分位于所述第二凹槽内。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电主体部的材料包括铜或铝；所述第一扩散阻挡层的材料包括钽、钛、氮化钛或者氮化钽。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一扩散阻挡层和所述第一金属保护层还具有凸出于所述导电主体部顶面的部分。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一电镀种子层，所述第一电镀种子层位于所述导电主体部与所述第一扩散阻挡层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述第一面的方向上，所述第一凹槽的深度与所述第二凹槽的深度之比在1:1～1:10范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述焊接结构还位于所述电连接柱与所述第二凹槽侧壁之间以及所述导电柱与所述电连接柱之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述焊接结构的材料包括锡或者锡银合金等。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二扩散阻挡层，所述第二扩散阻挡层位于所述第一凹槽底面上以及侧壁上，且还位于所述第二凹槽底面上以及侧壁上，以及还位于所述导电柱被所述第一凹槽暴露的顶面上和所述导电柱被所述第二凹槽暴露的侧面上。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二电镀种子层，所述第二电镀种子层位于所述第二扩散阻挡层与所述第一凹槽底面以及侧壁之间，且还位于所述第二扩散阻挡层与所述第二凹槽底面与侧壁之间，以及还位于所述第二扩散阻挡层与所述导电柱被所述第一凹槽暴露的顶面之间和所述第二扩散阻挡层与所述导电柱被所述第二凹槽暴露的侧面之间。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述导电柱延伸的方向上，所述第一凹槽与所述第二凹槽的宽度和是所述导电柱宽度的2～3倍。