[发明专利]光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括绝缘衬底；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互间隔设置在绝缘衬底上；锡掺杂氧化钼/硅异质结结构，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构连接第一电极和第二电极，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构为锡掺杂氧化钼层和硅层形成的异质结。根据本申请实施例的光电探测器，至少具有如下有益效果：本方案所提供的光电探测器通过锡掺杂氧化钼在其中引入杂化能级，实现红外光的高吸收率，并且将掺杂后的氧化钼进一步和硅形成具有理想界面的二维材料异质结，锡掺杂氧化钼/硅异质结界面可以形成内建电场，有效分离光生电子空穴对，从而使得近红外光电探测器具备超快的响应时间。