[发明专利]光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210023552.9 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114464694A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 龙明珠;栾佳宏;黄莉;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 刘燚 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.光电探测器，其特征在于，包括：
绝缘衬底；
第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相互间隔设置在所述绝缘衬底上；
锡掺杂氧化钼/硅异质结结构，所述锡掺杂氧化钼/硅异质结结构连接所述第一电极和所述第二电极，所述锡掺杂氧化钼/硅异质结结构为锡掺杂氧化钼层和硅层形成的异质结。
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述绝缘衬底上包括依次搭接的所述第一电极、所述硅层、所述锡掺杂氧化钼层和所述第二电极。
3.根据权利要求1至2任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述硅层为多层单晶硅；
优选的，所述硅层的厚度为30～300nm。
4.根据权利要求1至2任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述锡掺杂氧化钼层为多层单晶锡掺杂氧化钼；
优选的，所述锡掺杂氧化钼层的层数为2～100层。
5.根据权利要求1至2任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为金属电极。
6.权利要求1至5任一项所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述锡掺杂氧化钼层由热蒸发蒸镀技术制备得到；
优选的，所述热蒸发蒸镀的步骤为：将氧化钼和亚锡盐的粉末混匀后采用先慢速蒸镀再快速蒸镀的方法完成蒸镀，所述慢速蒸镀的蒸镀速度为0.1～0.5nm/s，所述快速蒸镀的蒸镀速度为0.5～2nm/s；
优选的，所述慢速蒸镀的蒸镀时间为60～200s；
优选的，快速蒸镀完成后得到的锡掺杂氧化钼层的厚度为200～500nm。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
通过热蒸发蒸镀技术制备锡掺杂氧化钼层；
将所述锡掺杂氧化钼层转移到绝缘衬底的硅层上，形成锡掺杂氧化钼/硅异质结结构；
在所述锡掺杂氧化钼/硅异质结结构的表面设置第一电极和第二电极。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘衬底上的所述硅层经反应离子刻蚀得到；
优选的，所述反应离子刻蚀采用包含三氟乙烷、六氟化硫中的至少一种气体进行处理；
优选的，刻蚀功率为100～350W；
优选的，气体流量为15～25scm；
优选的，刻蚀时间为30～90s。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，将所述锡掺杂氧化钼层转移到所述硅层的转移温度为25℃以下。
10.根据权利要求7至9任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述锡掺杂氧化钼/硅异质结结构的表面设置第一电极和第二电极的方法为：将金属材料蒸镀到所述绝缘衬底上形成所述第一电极和所述第二电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210023552.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：帧率检测方法、装置、计算机设备、存储介质和产品
- 下一篇：一种园艺除草机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
