[发明专利]集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法在审
| 申请号： | 202210022144.1 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114559212A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 谈益强;杨孝欢;施天翔;薛剑;魏英杰 | 申请（专利权）人： | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B23P15/00 | 分类号： | B23P15/00;B23K9/16 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 邱顺富 |
| 地址： | 314400 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，包括以下步骤：a.原材料选择；b.原料抛光；c.压制成型；d.部件抛光：筒体、上封头和下封头在压制完成后，再次进行机械抛光，抛光后粗糙度≤Ra0.10；e.焊接成型：将筒体、上封头和下封头拼装在一起，然后对连接位置的环缝进行焊接，焊接时先采用自动脉充氩弧焊打底，然后采用自动脉充氩弧焊盖面，焊接过程需使用氩气保护焊接位置，对气瓶内外进行充氩保护，实现单面焊接双面成型；f.内壁研磨；g.内壁清洗；h.性能检测。本发明提供了一种集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，可以满足试验压力大于6MPa的要求，且可满足充装超高纯及电子级气体的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 高端 制成 用电 子级溴化氢 焊接 制作方法 | ||
【主权项】：
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