[发明专利]集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法

权利要求书

1.集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

a.原材料选择：气瓶的主体材料需采用奥氏体不锈钢S31603；

b.原料抛光：气瓶的部件包括筒体、上封头和下封头，将筒体、上封头、下封头的原材料下料后进行内镜面抛光，抛光后粗糙度≤Ra0.10；

c.压制成型：将筒体、上封头、下封头的原材料压制成型；

d.部件抛光：筒体、上封头和下封头在压制完成后，再次进行机械抛光，抛光后粗糙度≤Ra0.10；

e.焊接成型：将筒体、上封头和下封头拼装在一起，然后对连接位置的环缝进行焊接，焊接时先采用自动脉充氩弧焊打底，然后采用自动脉充氩弧焊盖面，焊接过程需使用氩气保护焊接位置，对气瓶内外进行充氩保护，实现单面焊接双面成型；

f.内壁研磨：在气瓶焊接完成后，通过高强度钢球冲击对其内壁研磨，研磨后的气瓶内表面的整体粗糙度≤Ra0.30；

g.内壁清洗：用电阻率大于等于16MΩ的去离子水进行清洗，最后进行抽真空并使用加热的氮气进行多轮置换；

h.性能检测：对气瓶内部水分含量、氧分含量和颗粒度进行测试。

2.根据权利要求1所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，步骤d.焊接成型时，焊接坡口V型60°坡口，钝边3mm，自动脉充氩弧焊打底焊接主要参数如下：基值电流I_基值=65A，基值时间T_基值=0.15s，峰值电流I_峰值=125A，峰值时间T_峰值=0.15s，焊接速度V=150mm/min；自动脉充氩弧焊盖面焊接主要参数如下：基值电流I_基值=27A，基值时间T_基值=0.15s，峰值电流I_峰值=85A，峰值时间T_峰值=0.25s，焊接速度V=200mm/min。

3.根据权利要求1所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，步骤d.焊接成型时，气瓶内进行充氩保护，焊接开始前保证气瓶内氩气浓度≥95%，焊接过程中持续对气瓶内进行充氩，使气瓶内气压大于大气压；焊缝内部和外部均要求一次成型，且无任何裂纹、咬边、气孔、夹杂等焊接缺陷。

4.根据权利要求1或2或3所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，还包括内部充氩结构，内部充氩结构包括与上封头上的颈圈适配的连接头和伸入管，连接头与颈圈固定，伸入管的一端与连接头固定且连通，连接头上设有排气孔。

5.根据权利要求4所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，所述连接头上设有至少两个排气孔，其中至少一个排气孔上设置泄压结构，其余排气孔上设置可拆卸的密封塞，泄压结构包括固定块、活塞和伸缩弹簧，固定块内设有滑孔和连通孔，活塞和伸缩弹簧设置在滑孔内，活塞与滑孔滑动连接，伸缩弹簧一端与活塞连接，伸缩弹簧的另一端与固定块连接，滑孔一端与排气孔连通，连通孔的一端与滑孔侧壁连通，连通孔的另一端与外部连通。

6.根据权利要求5所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，所述连通孔与外部连通的位置设有气哨。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，还包括外部压气保护装置，外部压气保护装置套设在气瓶需要焊接的环缝外侧，外部压气保护装置上设有充气孔和排气孔，外部压气保护装置包括转动环和两个固定环，两个固定环设置在转动环两侧且与转动环转动连接，两个固定环分别与气瓶密封固定，转动环上设有便于焊枪穿过的通孔。

8.根据权利要求7所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，所述转动环上设有便于观察焊接情况的玻璃窗口。