[发明专利]提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法

摘要

本发明提供一种提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，提供刻蚀机以及衬底；衬底上形成有浮栅，浮栅上形成有氮化硅层；在氮化硅层上淀积底部抗反射涂层和光刻胶层，再利用光刻打开光刻胶层，使得其下方的底部抗反射涂层裸露；利用射频单元产生射频波，利用反应气体供应系统提供反应气体输送至刻蚀腔体，并将射频波发送至下电极，使得反应气体解离为等离子气体；利用等离子气体刻蚀裸露出的底部抗反射涂层以及其下方的氮化硅层，形成沟槽。本发明在高密度等离子能量分布的刻蚀腔体中，可以对刻蚀用的反应气体碳氟比中的含碳的聚合物气体减少，从而得到更清洁的刻蚀气氛，进而得到稳定的垂直形貌。