[发明专利]提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法在审
| 申请号： | 202210021104.5 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114446775A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C09K13/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 氮化 刻蚀 轮廓 方法 | ||
1.一种提升浮栅氮化硅层刻蚀轮廓的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供刻蚀机以及衬底；
所述衬底上形成有浮栅，且所述浮栅上形成有氮化硅层；
所述刻蚀机包括刻蚀腔体，所述刻蚀腔体包括上电极、射频单元、下电极和反应气体供应系统；
步骤二、在所述氮化硅层上淀积底部抗反射涂层和光刻胶层，再利用光刻打开所述光刻胶层，使得其下方的所述底部抗反射涂层裸露；
步骤三、利用所述射频单元产生射频波，利用所述反应气体供应系统提供反应气体输送至所述刻蚀腔体，并将所述射频波发送至所述下电极，使得所述反应气体解离为等离子气体；
步骤四、利用所述等离子气体刻蚀裸露出的所述底部抗反射涂层以及其下方的所述氮化硅层，使得刻蚀后的所述氮化硅层形成沟槽。
2.根据权利要求1所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其特征在于：步骤三中的所述射频波的频率为60MHz。
3.根据权利要求2所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其特征在于：步骤三中的所述射频波的能量大于500W。
4.根据权利要求1所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其特征在于：步骤三中的所述射频波的频率为60MHz和27MHz。
5.根据权利要求4所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其特征在于：步骤三中的60MHz的所述射频波的能量大于500W；27MHz的所述射频波的能量大于400W。
6.根据权利要求1所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其特征在于：步骤三中的反应气体包括CF4、CHF 3、CH2F2、C4F8、NF3中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其特征在于：步骤四中的所述沟槽的侧壁倾斜度处于88度至90度间。
8.根据权利要求1所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其特征在于：所述方法还包括在步骤四中的所述沟槽形成后，去除所述光刻胶层、所述底部抗反射涂层以及利用湿法清洗所述衬底。
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