[发明专利]一种碳化硅外延生长装置有效
| 申请号： | 202210011142.2 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114059164B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 蒲勇;赵鹏;卢勇;施建新 | 申请（专利权）人： | 芯三代半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/14 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 唐学青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种碳化硅外延生长装置。该碳化硅外延生长装置包括：反应模块，其内配置有反应腔；喷淋部组件，其配置于反应模块上，喷淋部组件包括多个独立的腔体，多个所述腔体分别经管道连接至用以提供气体的气源以及分别经出气通道连通反应腔，且所述出气通道包括依次连接的导气管段、匀压管段及扩散管段，所述导气管段的直径大于所述匀压管段的直径；以及托盘组件，托盘组件配置于所述反应腔的底部，且与所述喷淋部组件相对，托盘组件的顶部用以放置衬底，反应模块运行时气体流入匹配的腔体，并在腔体内混合后从匹配的出气通道流出并流至反应腔内。该碳化硅外延生长装置采用的反应气体类型可以灵活组合，具有极大的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯三代半导体科技（苏州）有限公司，未经芯三代半导体科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210011142.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
