[发明专利]一种碳化硅外延生长装置

权利要求书

1.一种碳化硅外延生长装置，其特征在于，包括：

反应模块，所述反应模块内配置有供外延生长的反应腔；

喷淋部组件，所述喷淋部组件配置于所述反应模块上，所述喷淋部组件包括：

多个独立的腔体，多个所述腔体分别经管道连接至用以提供气体的气源以及分别经出气通道连通反应腔，且所述出气通道包括依次连接的导气管段、匀压管段及扩散管段，所述导气管段的过流面积大于所述匀压管段的过流面积，

至少一个所述腔体内有沿本体径向配置的间隔板，所述间隔板将所述腔体隔成上下2层，其中，上层为进气腔，下层为出气腔，且进气腔的体积大于匹配的出气腔的体积，所述出气腔连通出气通道，所述间隔板上配置有穿孔，所述穿孔连通匹配的进气腔及出气腔；及

托盘组件，所述托盘组件配置于所述反应腔的底部，且与所述喷淋部组件相对，所述托盘组件的顶部用以放置衬底；

反应模块运行时气体流入匹配的腔体，并在腔体内混合后从匹配的出气通道流出并流至所述反应腔内，所述导气管段的直径与所述匀压管段的直径之比介于1.1-2.5，所述扩散管段的直径与所述匀压管段的直径之比介于1.1-1.5。

2.如权利要求1所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，所述喷淋部组件包括：固定部及喷淋部，

所述固定部安装于所述反应模块的端部，所述固定部配置成中央区域镂空，所述喷淋部可拆卸的安装于所述中央区域。

3.如权利要求1所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，所述喷淋部包括：本体、端板及隔板，

所述本体具有基部及配置于所述基部一侧边缘的侧壁；

所述端板配置于所述侧壁的端部；

所述隔板的两侧端分别连接所述基部及所述端板，

所述基部、侧壁、隔板及端板组合围成多个所述腔体。

4.如权利要求3所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述隔板为3个，3个所述隔板间隔配置且沿所述本体轴向延伸，

所述基部、侧壁、隔板及端板组合围成相互独立的第一腔体、第二腔体、第三腔体及第四腔体，

其中，所述第一腔体呈圆柱状，第二腔体、第三腔体及第四腔体沿第一腔体的径向依次排布。

5.如权利要求4所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，所述端板上设有复数出气通道，所述第一腔体、第二腔体、第三腔体或第四腔体经所述出气通道分别连通所述反应腔。

6.如权利要求1所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，所述间隔板与基部间的距离h1与所述间隔板与端板的距离h2的比值介于2～10。