[发明专利]一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用在审
| 申请号： | 202210007647.1 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114464470A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 高凤梅;李维俊;王瑞莹;李侃;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/48;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用，属于能源制造技术领域。本发明公开了一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将聚硅氮烷和三聚氰胺的粉末混合后置于覆盖有碳基材的坩埚中，通过化学气相沉积法在碳基材上负载SiC纳米线；然后将负载有SiC纳米线的碳基材作为阳极，将铂片电极作为阴极，苯胺酸性溶液作为电解液，通过脉冲电沉积获得多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列。本发明还公开了一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列及其在超级电容器中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 sic pani 纳米 阵列 制备 方法 及其 超级 电容器 应用 | ||
【主权项】：
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