[发明专利]一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用

权利要求书

1.一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将聚硅氮烷和三聚氰胺的粉末混合后置于覆盖有碳基材的坩埚中，通过化学气相沉积法在碳基材上负载SiC纳米线；然后将负载有SiC纳米线的碳基材作为阳极，将铂片电极作为阴极，苯胺酸性溶液作为电解液，通过脉冲电沉积获得多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述脉冲电沉积过程设置脉冲电源交流模式，占空比为45-55％，电压为0-1.5V，频率为45-55Hz，时间为40-75min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚硅氮烷、三聚氰胺的质量比为(2-4):1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积法包括在高温烧结炉中加热沉积。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述加热沉积包括在氩气氛围下进行分段加热，经过45-50min从室温升至第一阶段温度，然后经过9-13min升至第二阶段温度，再经过8-12min降至第三阶段温度；其中

第一阶段温度为1380-1420℃，第二阶段温度为1510-1590℃，第三阶段温度为1270-1310℃。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二阶段温度为1540-1560℃。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述苯胺酸性溶液中包括苯胺单体和酸性溶剂。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述苯胺酸性溶液中苯胺单体的浓度为0.005-0.02mol/L，酸性溶剂的浓度为0.4-0.7mol/L。

9.一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列，其特征在于，所述多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列由权利要求1～8任一所述的制备方法制得。

10.一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列在超级电容器中应用。