[发明专利]一种高速度、高耐久、低涨落的FeFET及其制备方法在审
| 申请号： | 202210007405.2 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114361257A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;唐克超;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/34;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高速度、高耐久、低涨落的FeFET及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明首先利用刻蚀高k栅介质使其形成多个沟槽，之后在沟槽中生长铁电HZO，再用化学机械抛光减薄至特定尺寸并退火的方法制备FeFET栅叠层。本发明每个沟槽内生长的铁电HZO单相性高，甚至接近单晶，极化取向及极化翻转一致性非常高，有利于提升FeFET的读写速度，降低器件与器件之间的涨落，且利用氧化物半导体作为沟道，可消除界面层的存在，提升FeFET的保持特性和耐久特性。本发明制备工艺与CMOS后端工艺兼容完全兼容，有望和CMOS逻辑电路混合集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速度 耐久 涨落 fefet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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