[发明专利]一种输出电容为任意大小的LDO有效
申请号: | 202210002862.2 | 申请日: | 2022-01-04 |
公开(公告)号: | CN114326905B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 耿翔 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孙一峰 |
地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于模拟集成电路技术领域,具体的说是涉及一种输出电容为任意大小的LDO。现有的LDO的片外大电容增加了成本,而本发明的capless LDO通过芯片内部的环路补偿实现了无片外大电容的LDO,保证了在外部电容很小或者没有时,LDO的环路稳定性,减小了成本;同时,当外部有大电容(uF级)时,也能保证良好的稳定性,也就实现了无论外部电容多大,都能保证输出电压稳定的LDO;另外本发明的电路通过不同的环路反馈,得到了瞬态响应较好的LDO,扩展了capless LDO在芯片上的使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 输出 电容 任意 大小 ldo | ||
【主权项】:
暂无信息
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