[发明专利]一种输出电容为任意大小的LDO有效
申请号: | 202210002862.2 | 申请日: | 2022-01-04 |
公开(公告)号: | CN114326905B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 耿翔 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孙一峰 |
地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输出 电容 任意 大小 ldo | ||
1.一种输出电容为任意大小的LDO,其特征在于,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16、第十七MOS管M17、第十八MOS管M18、第十九MOS管M19、第二十MOS管M20、第二十一MOS管M21、第二十二MOS管M22、第二十三MOS管M23、第二十四MOS管M24、第二十五MOS管M25、第二十六MOS管M26、第二十七MOS管M27、第二十八MOS管M28、第二十九MOS管M29、第三十MOS管M30、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3;其中,
第一MOS管M1的漏极接偏置电压,其栅极和漏极互连,其源极接地;第二MOS管M2的漏极接第三MOS管M3的漏极,第二MOS管M2的栅极接第一MOS管M1的漏极,第二MOS管M2的源极接地;
第三MOS管M3的源极接电源,其栅极和漏极互连;第四MOS管M4的源极接电源,其栅极接第三MOS管M3的漏极,第四MOS管M4的漏极接第五MOS管M5的漏极,第五MOS管M5的栅极和漏极互连,第五MOS管M5的源极接地;第四MOS管M4漏极与第五MOS管M5漏极的连接点还通过第三电阻R3后接第八MOS管M8的栅极;
第六MOS管M6的源极接电源,其栅极接第三MOS管M3的漏极,第六MOS管M6的漏极接第七MOS管M7的源极和第八MOS管M8的源极;第七MOS管M7的栅极接第四MOS管M4的漏极,第七MOS管M7的漏极接第十二MOS管M12的漏极;第八MOS管M8的栅极通过第三电容C3后接第二十八MOS管M28的源极,第八MOS管M8的漏极接第十一MOS管M11的漏极;
第九MOS管M9的源极接第二十七MOS管M27的源极,第九MOS管M9的栅极与漏极互连,第九MOS管M9的漏极接第十三MOS管M13的漏极;第十MOS管M10的源极接基准电压,其栅极和漏极互连,其漏极接第十四MOS管M14的漏极;
第十一MOS管M11的源极接基准电压,其栅极接第九MOS管M9的漏极,第十一MOS管M11的漏极通过第一电阻R1后接第十七MOS管M17的漏极;第十二MOS管M12的源极接基准电压,其栅极接第十MOS管M10的漏极,第十二MOS管M12的漏极通过第四电阻R4后接第十八MOS管M18的漏极;
第十三MOS管M13的栅极接第一MOS管M1的漏极,第十三MOS管M13的源极接地;第十四MOS管M14的栅极接第一MOS管M1的漏极,第十四MOS管M14的源极接地;
第十五MOS管M15的漏极通过第二电阻R2后接第十一MOS管M11的漏极,第十五MOS管M15的栅极接第一MOS管M1的漏极,第十五MOS管M15的源极接地;第十六MOS管M16的漏极通过第五电阻R5后接第十二MOS管M12的漏极,第十六MOS管M16的栅极接第一MOS管M1的漏极,第十六MOS管M16的源极接地;
第十七MOS管M17的栅极和漏极互连,其源极接地;第十八MOS管M18的栅极和漏极互连,其源极接地;
第十九MOS管M19的漏极接第二十MOS管M20的漏极,第十九MOS管M19的栅极接第十六MOS管M16的漏极,第十九MOS管M19的源极接地;第二十MOS管M20的源极接电源,其栅极接第二十一MOS管M21的漏极,第二十MOS管M20的漏极还通过第一电容C1后接地;第二十一MOS管M21的源极接电源,其栅极和漏极互连,第二十一MOS管M21的漏极接第二十二MOS管M22的漏极;第二十二MOS管M22的栅极接第十五MOS管M15的漏极,第二十二MOS管M22的源极接地;
第二十三MOS管M23的漏极接第二十四MOS管M24的漏极,第二十三MOS管M23的栅极接第一MOS管M1的漏极,第二十三MOS管M23的源极接地;第二十四MOS管M24的源极接基准电压,其栅极接第十MOS管M10的漏极,第二十四MOS管M24的漏极接第二十五MOS管M25的漏极;
第二十五MOS管M25的栅极和漏极互连,其栅极接地;第二十六MOS管M26的漏极接第二十七MOS管M27的漏极,第二十六MOS管M26的栅极接第二十五MOS管M25的漏极,第二十六MOS管M26的源极接地;
第二十七MOS管M27的漏极接电源,其栅极接第二十MOS管M20的漏极;第二十八MOS管M28的漏极接电源,其栅极接第二十MOS管M20的漏极,第二十八MOS管M28的源极接第三十MOS管M30的漏极;
第二十九MOS管M29的漏极接第二十七MOS管M27的源极,第二十九MOS管M29的栅极接第一MOS管M1的漏极,第二十九MOS管M29的源极接地;第三十MOS管M30的栅极接第一MOS管M1的漏极,第三十MOS管M30的源极接地;
第二十六MOS管M26的漏极、第二十MOS管M27的源极、第二十九MOS管M29的漏极、第三十MOS管M30的漏极以及第二电容C2的一端连接点为LDO的输出端,第二电容C2的另一端接地。
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