[发明专利]用于超导量子电路的多层封装在审
| 申请号： | 202180086652.X | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN116635999A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | D·亚伯拉罕;O·戴尔;J·科特;J·萨特尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王英杰;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种量子半导体器件(200)包括：量子位芯片(202)；内插器芯片(208)，所述内插器芯片具有操作器，所述内插器芯片包括耦合到所述量子位芯片的第一侧的贯穿硅通孔(TSV)。多级布线MLW层(210,211,213)接触所述内插器芯片的下侧并且耦合到所述操作器的顶侧，所述TSV促进所述MLW层、所述内插器芯片的顶侧和量子位芯片之间的电信号连接，其中所述器件的结构减轻所述MLW层的各个线路上的信号串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超导 量子 电路 多层 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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