[发明专利]具有沟槽底部屏蔽结构的沟槽半导体装置在审
| 申请号： | 202180069019.X | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN116547789A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | W·基姆;D·J·里克腾沃纳;N·伊斯拉米;柳世衡 | 申请（专利权）人： | 沃孚半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置和形成包括可以改善装置可靠性和/或装置功能的多晶硅层的半导体装置的方法。示例装置可以包括：宽带隙半导体层结构，其包括具有第一导电类型的漂移区域；位于半导体层结构的上部中的多个栅极沟槽，每个栅极沟槽具有底表面、第一侧壁、第二侧壁和上开口；以及多个多晶硅层，每个多晶硅层位于相应栅极沟槽的第二侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 底部 屏蔽 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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