[发明专利]III族氮化物半导体纳米颗粒、核壳型颗粒及其制造方法在审
| 申请号： | 202180053864.8 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN116157355A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 风间拓也;田村涉;三宅康之;森山健治;村松淳司;蟹江澄志 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 顾营安;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供实质上不含杂质且量子效率高的III族氮化物纳米颗粒。在使含有1种或2种以上III族元素M的材料在液相中反应而合成颗粒尺寸为16nm以下的III族氮化物半导体纳米颗粒时，使用三甲基铟作为含有1种或2种以上III族元素M的材料中的至少一种III族元素材料，在纳米颗粒的合成反应之前，将三甲基铟溶解于配位系溶剂中而前体化，使该前体与其他III族元素材料和氮源在溶剂中、在非活性气氛下在300℃以上反应而合成纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 纳米 颗粒 核壳型 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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