[发明专利]III族氮化物半导体纳米颗粒、核壳型颗粒及其制造方法在审
| 申请号： | 202180053864.8 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN116157355A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 风间拓也;田村涉;三宅康之;森山健治;村松淳司;蟹江澄志 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 顾营安;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 纳米 颗粒 核壳型 及其 制造 方法 | ||
1.一种III族氮化物半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，在使含有1种或2种以上III族元素M的材料在液相中反应而合成颗粒尺寸为16nm以下的III族氮化物半导体纳米颗粒时，使用配位系溶剂，并且使用三甲基M作为含有所述1种或2种以上III族元素M的材料中的至少一种III族元素材料。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述III族氮化物半导体纳米颗粒是以通式：AlxGayInzN表示的纳米颗粒，其中，0≤(x，y，z)≤1，x+y+z＝1。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述III族氮化物半导体纳米颗粒是以通式：AlxGayInzN表示的纳米颗粒，其中，0≤(x，y)1，0z≤1，x+y+z＝1。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的III族氮化物半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述III族元素材料包含三甲基铟，所述制造方法包括在纳米颗粒的合成反应之前将三甲基铟溶解于配位系溶剂中进行前体化的工序。
5.根据权利要求4所述的III族氮化物半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述III族元素材料还包含三甲基镓和三甲基铝中的至少一者。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的III族氮化物半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，合成温度为100℃以上。
7.一种III族氮化物半导体纳米颗粒，其特征在于，其为由通式：AlxGayInzN表示的颗粒尺寸为16nm以下的III族氮化物半导体纳米颗粒，其中0≤(x，y)1，0z≤1，x+y+z＝1，其实质上不含来自III族元素M的卤化物的杂质元素。
8.一种核壳型纳米颗粒，其特征在于，其以通式：AlxGayInzN表示的III族氮化物半导体纳米颗粒为核颗粒，其中0≤(x，y)1，0z≤1，x+y+z＝1，并以通式：AlxGayInzN表示的III族氮化物为壳，其中0x≤1，0≤(y，z)1，x+y+z＝1，所述核壳型纳米颗粒实质上不含来自III族元素M的卤化物的杂质元素。
9.一种III族氮化物半导体纳米颗粒，其特征在于，其为通过使含有1种或2种以上III族元素M的材料在液相中反应，此时使用三甲基M作为III族材料而合成的III族氮化物半导体纳米颗粒，颗粒尺寸为16nm以下，实质上不含卤素元素。
10.根据权利要求9所述的III族氮化物半导体纳米颗粒，其特征在于，实质上不含来自III族元素M的卤化物的杂质元素。
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