[发明专利]使用混合式激光划线和等离子体蚀刻方式的晶片切割中的激光划线沟槽开口控制在审
| 申请号： | 202180044406.8 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN115769367A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | J·帕克;Z·Z·Y·陈;K·巴拉克里希南;J·S·帕帕努;类维生 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/308;B23K26/38;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 付尉琳;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开的实施例包含切割包括多个集成电路的晶片的方法。在实施例中，方法包括在半导体晶片上方形成掩模，并且通过第一激光处理将掩模和半导体晶片图案化。方法可进一步包括通过第二激光处理将掩模和半导体晶片图案化，其中第二激光处理与第一激光处理不同。在实施例中，方法可进一步包括通过等离子体蚀刻处理来蚀刻半导体晶片以切单集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 混合式 激光 划线 等离子体 蚀刻 方式 晶片 切割 中的 沟槽 开口 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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